FF200R12KT4 Модуль IGBT 1200В 200А

Корпус FF200R12KT4 — компактные 106,4×30,5 мм, а внутри модуль Infineon держит номинальный ток коллектора 200 А при напряжении коллектор-эмиттер 1200 В и выдерживает пиковые броски тока до 400 А, поэтому его ставят там, где место в шкафу ограничено, а нагрузка не всегда ровная. Рассеиваемая мощность модуля — 1100 Вт при температуре корпуса 25°C, максимальная температура перехода — 175°C, рабочий диапазон — от −40 до 150°C. Пиковое напряжение затвор-эмиттер ±20 В обеспечивает точное управление переключением. FF200R12KT4 входит в линейку IGBT-модулей Infineon N-CH на 1,2 кВ и 200–400 А — выбор для преобразователей частоты, приводов и другой силовой электроники, где нужна надёжная коммутация мощных нагрузок.