Nevel · 6248
FF300R12KE3 Модуль IGBT 1200В 300А1 082 400UZS
635 100
UZSВсе цены указаны без учета НДС
MG200H1AL2 — транзисторный модуль IGBT производства Toshiba: номинальный ток 200 А, номинальное напряжение 450 В. Это сочетание тока и напряжения предназначено для приложений с высокой мощностью и высоким напряжением, где требуется надёжная коммутация нагрузки. При этом модуль лёгкий — весит всего 210 граммов (около 0,46 фунта), что упрощает его установку в силовой узел. В каталоге и на старых схемах модуль значится как «Модуль IGBT 200А Toshiba» — именно по этому сочетанию названия и параметров его чаще всего ищут при подборе замены.
ПодробнееMG200H1AL2 — транзисторный модуль IGBT производства Toshiba: номинальный ток 200 А, номинальное напряжение 450 В. Это сочетание тока и напряжения предназначено для приложений с высокой мощностью и высоким напряжением, где требуется надёжная коммутация нагрузки. При этом модуль лёгкий — весит всего 210 граммов (около 0,46 фунта), что упрощает его установку в силовой узел. В каталоге и на старых схемах модуль значится как «Модуль IGBT 200А Toshiba» — именно по этому сочетанию названия и параметров его чаще всего ищут при подборе замены.
Nevel · 6248
FF300R12KE3 Модуль IGBT 1200В 300А1 082 400UZS
Nevel · 6224
FF300R12KT3 Модуль IGBT 1200В 300А1 062 600UZS
Nevel · 6039
GD300HFX120C2S Модуль IGBT 1200В 300А992 800UZS
Nevel · 6035
SKM150GB17E4 Модуль IGBT 1700В 150А672 400UZS
Nevel · 5580
FF400R12KE3 Модуль IGBT 1200В 400А1 460 600UZS
Nevel · 5578
SKM150GB128D Модуль IGBT 1200В 150А668 300UZS
Nevel · 5577
FF150R12KS4 Модуль IGBT 1200В 150А1 231 600UZS
Nevel · 5574
1MBI600VPX-140 Модуль IGBT 1400В 600А868 800UZS
О категории
Модули IGBT — силовые ключи с изолированным затвором, которые в частотных преобразователях и инверторах включаются и отключаются по сигналу управления, в отличие от тиристорных модулей и диодных мостов из соседних подкатегорий. Выбор определяют рабочее напряжение и ток конкретного модуля.
Все товары категории