MG200H1AL2 Модуль IGBT 200А
Артикул · 5143

MG200H1AL2 Модуль IGBT 200А

NevelNevel

635 100

UZS

Все цены указаны без учета НДС

MG200H1AL2 — транзисторный модуль IGBT производства Toshiba: номинальный ток 200 А, номинальное напряжение 450 В. Это сочетание тока и напряжения предназначено для приложений с высокой мощностью и высоким напряжением, где требуется надёжная коммутация нагрузки. При этом модуль лёгкий — весит всего 210 граммов (около 0,46 фунта), что упрощает его установку в силовой узел. В каталоге и на старых схемах модуль значится как «Модуль IGBT 200А Toshiba» — именно по этому сочетанию названия и параметров его чаще всего ищут при подборе замены.

Подробнее

Детальное описание

MG200H1AL2 — транзисторный модуль IGBT производства Toshiba: номинальный ток 200 А, номинальное напряжение 450 В. Это сочетание тока и напряжения предназначено для приложений с высокой мощностью и высоким напряжением, где требуется надёжная коммутация нагрузки. При этом модуль лёгкий — весит всего 210 граммов (около 0,46 фунта), что упрощает его установку в силовой узел. В каталоге и на старых схемах модуль значится как «Модуль IGBT 200А Toshiba» — именно по этому сочетанию названия и параметров его чаще всего ищут при подборе замены.

Характеристики

Ток
200A
Тип
Модуль IGBT

Аналоги и замены

О категории

Модули IGBT

Модули IGBT — силовые ключи с изолированным затвором, которые в частотных преобразователях и инверторах включаются и отключаются по сигналу управления, в отличие от тиристорных модулей и диодных мостов из соседних подкатегорий. Выбор определяют рабочее напряжение и ток конкретного модуля.

Все товары категории