FF200R12KT4, Модуль IGBT 1200В 200А Infineon

Инфинеон FF200R12KT4 IGBT Модули – Высокая мощность и напряжение Возможность обработки

Infineon FF200R12KT4 — надежный IGBT модуль, предназначенный для обеспечения высокой мощности и напряжение возможности обработки для различных приложений. С номинальным напряжением коллектор-эмиттер (VCES) 1200 В этот модуль может эффективно работать с высокими уровнями напряжения, обеспечивая надежную работу в сложных условиях.

Непрерывный постоянный ток коллектора (IC) рассчитан на 200 А, что обеспечивает постоянную подачу питания. Кроме того, модуль может выдерживать повторяющиеся пиковые токи коллектора (ICP) до 400 А, что делает его пригодным для приложений с неустойчивыми требованиями к мощности.

Полная рассеиваемая мощность (Ptot) модуля FF200R12KT4 составляет 1100 Вт при работе при температуре корпуса (TC) 25°C и максимальной температуре перехода (Tvj) 175°C. Это обеспечивает эффективное управление питанием и термическую стабильность во время работы.

Благодаря пиковому напряжению затвор-эмиттер (VGES) +/-20 В модуль обеспечивает точное управление и эффективное переключение. Он может надежно работать в широком диапазоне температур от -40 до 150°C, что позволяет гибко применять его в различных тепловых условиях.

FF200R12KT4 IGBT Модуль имеет компактные размеры, высоту 30.5 мм и длину 106.4 мм. Это делает его подходящим для установок с ограниченным пространством, сохраняя при этом высокую мощность.

IGBT-модуль FF200R12KT4 от Infineon относится к серии N-CH 1.2 кВ и 200–400A IGBT-модулей.